FM24VN10-G,828-2792,Cypress Semiconductor FM24VN10-G 1Mbit 串行 - I2C FRAM 存储器, 128K x 8 位, 2 to 3.6 V, -40 至 +85°C, 8针 SOIC封装 ,Cypress Semiconductor
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Cypress Semiconductor FM24VN10-G 1Mbit 串行 - I2C FRAM 存储器, 128K x 8 位, 2 to 3.6 V, -40 至 +85°C, 8针 SOIC封装

制造商零件编号：
FM24VN10-G
库存编号：
828-2792
Cypress Semiconductor FM24VN10-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FM24VN10-G产品详细信息

F-RAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗

FM24VN10-G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.98mm  
  尺寸  4.978 x 3.987 x 1.478mm  
  存储器大小  1Mbit  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.478mm  
  接口类型  串行 - I2C  
  宽度  3.987mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  8  
  字组数目  128K  
  组织  128K x 8 位  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2 V  
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FM24VN10-G配套附件

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FM24VN10-G相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FM24VN10-G产品技术参数资料

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