TC58NVG1S3EBAI5,752-2289,Toshiba TC58NVG1S3EBAI5 闪存, 2 GByte (256M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装 ,Toshiba
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Toshiba TC58NVG1S3EBAI5 闪存, 2 GByte (256M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装

制造商零件编号:
TC58NVG1S3EBAI5
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
752-2289
Toshiba TC58NVG1S3EBAI5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TC58NVG1S3EBAI5产品详细信息

闪存存储器,Toshiba

TC58NVG1S3EBAI5产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  13mm  
  尺寸  13 x 10 x 0.74mm  
  存储器大小  2 GByte  
  单元类型  NAND  
  封装类型  TFBGA  
  高度  0.74mm  
  接口类型  并行  
  块组织  对称  
  宽度  10mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  引脚数目  63  
  字组数目  256M  
  组织  256M x 8  
  最长随机存取时间  25ns  
  最大工作电源电压  4.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  -0.6 V  
关键词         

TC58NVG1S3EBAI5相关搜索

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  闪存芯片 安装类型 表面贴装  Toshiba 闪存芯片 安装类型 表面贴装   长度 13mm  Toshiba 长度 13mm  闪存芯片 长度 13mm  Toshiba 闪存芯片 长度 13mm   尺寸 13 x 10 x 0.74mm  Toshiba 尺寸 13 x 10 x 0.74mm  闪存芯片 尺寸 13 x 10 x 0.74mm  Toshiba 闪存芯片 尺寸 13 x 10 x 0.74mm   存储器大小 2 GByte  Toshiba 存储器大小 2 GByte  闪存芯片 存储器大小 2 GByte  Toshiba 闪存芯片 存储器大小 2 GByte   单元类型 NAND  Toshiba 单元类型 NAND  闪存芯片 单元类型 NAND  Toshiba 闪存芯片 单元类型 NAND   封装类型 TFBGA  Toshiba 封装类型 TFBGA  闪存芯片 封装类型 TFBGA  Toshiba 闪存芯片 封装类型 TFBGA   高度 0.74mm  Toshiba 高度 0.74mm  闪存芯片 高度 0.74mm  Toshiba 闪存芯片 高度 0.74mm   接口类型 并行  Toshiba 接口类型 并行  闪存芯片 接口类型 并行  Toshiba 闪存芯片 接口类型 并行   块组织 对称  Toshiba 块组织 对称  闪存芯片 块组织 对称  Toshiba 闪存芯片 块组织 对称   宽度 10mm  Toshiba 宽度 10mm  闪存芯片 宽度 10mm  Toshiba 闪存芯片 宽度 10mm   每字组的位元数目 8Bit  Toshiba 每字组的位元数目 8Bit  闪存芯片 每字组的位元数目 8Bit  Toshiba 闪存芯片 每字组的位元数目 8Bit   引脚数目 63  Toshiba 引脚数目 63  闪存芯片 引脚数目 63  Toshiba 闪存芯片 引脚数目 63   字组数目 256M  Toshiba 字组数目 256M  闪存芯片 字组数目 256M  Toshiba 闪存芯片 字组数目 256M   组织 256M x 8  Toshiba 组织 256M x 8  闪存芯片 组织 256M x 8  Toshiba 闪存芯片 组织 256M x 8   最长随机存取时间 25ns  Toshiba 最长随机存取时间 25ns  闪存芯片 最长随机存取时间 25ns  Toshiba 闪存芯片 最长随机存取时间 25ns   最大工作电源电压 4.6 V  Toshiba 最大工作电源电压 4.6 V  闪存芯片 最大工作电源电压 4.6 V  Toshiba 闪存芯片 最大工作电源电压 4.6 V   最低工作温度 -40 °C  Toshiba 最低工作温度 -40 °C  闪存芯片 最低工作温度 -40 °C  Toshiba 闪存芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Toshiba 最高工作温度 +85 °C  闪存芯片 最高工作温度 +85 °C  Toshiba 闪存芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 -0.6 V  Toshiba 最小工作电源电压 -0.6 V  闪存芯片 最小工作电源电压 -0.6 V  Toshiba 闪存芯片 最小工作电源电压 -0.6 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

TC58NVG1S3EBAI5产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号