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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.25 x 0.8mm
典型电阻比	1
典型输入电阻器	47 kΩ
封装类型	SOT-363
高度	0.8mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	隔离式
宽度	1.25mm
每片芯片元件数目	2
引脚数目	6
最大发射极-基极电压	-10 V
最大功率耗散	250 mW
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	-50 V
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	70
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Infineon 长度 2mm  数字晶体管 长度 2mm  Infineon 数字晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  数字晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  Infineon 数字晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm   典型电阻比 1  Infineon 典型电阻比 1  数字晶体管 典型电阻比 1  Infineon 数字晶体管 典型电阻比 1   典型输入电阻器 47 kΩ  Infineon 典型输入电阻器 47 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 47 kΩ  Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 47 kΩ   封装类型 SOT-363  Infineon 封装类型 SOT-363  数字晶体管 封装类型 SOT-363  Infineon 数字晶体管 封装类型 SOT-363   高度 0.8mm  Infineon 高度 0.8mm  数字晶体管 高度 0.8mm  Infineon 数字晶体管 高度 0.8mm   晶体管类型 PNP  Infineon 晶体管类型 PNP  数字晶体管 晶体管类型 PNP  Infineon 数字晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 隔离式  Infineon 晶体管配置 隔离式  数字晶体管 晶体管配置 隔离式  Infineon 数字晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.25mm  Infineon 宽度 1.25mm  数字晶体管 宽度 1.25mm  Infineon 数字晶体管 宽度 1.25mm   每片芯片元件数目 2  Infineon 每片芯片元件数目 2  数字晶体管 每片芯片元件数目 2  Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 2   引脚数目 6  Infineon 引脚数目 6  数字晶体管 引脚数目 6  Infineon 数字晶体管 引脚数目 6   最大发射极-基极电压 -10 V  Infineon 最大发射极-基极电压 -10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V  Infineon 数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V   最大功率耗散 250 mW  Infineon 最大功率耗散 250 mW  数字晶体管 最大功率耗散 250 mW  Infineon 数字晶体管 最大功率耗散 250 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 -50 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 -50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -50 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -50 V   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 70  Infineon 最小直流电流增益 70  数字晶体管 最小直流电流增益 70  Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 70  

• BCR198 series PNP Digital Transistors