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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.3 x 0.9mm
典型电阻比	1
典型输入电阻器	10 kΩ
封装类型	SOT-23
高度	0.9mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	10 V
最大功率耗散	200 mW
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大连续集电极电流	100 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	30
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  数字晶体管 长度 2.9mm  Infineon 数字晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   典型电阻比 1  Infineon 典型电阻比 1  数字晶体管 典型电阻比 1  Infineon 数字晶体管 典型电阻比 1   典型输入电阻器 10 kΩ  Infineon 典型输入电阻器 10 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ  Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  数字晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon 数字晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  数字晶体管 高度 0.9mm  Infineon 数字晶体管 高度 0.9mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Infineon 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  数字晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 数字晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Infineon 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 10 V  Infineon 最大发射极-基极电压 10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V  Infineon 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V   最大功率耗散 200 mW  Infineon 最大功率耗散 200 mW  数字晶体管 最大功率耗散 200 mW  Infineon 数字晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 30  Infineon 最小直流电流增益 30  数字晶体管 最小直流电流增益 30  Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 30  

• BCR133 NPN Silicon Digital Transistor Datasheet