UMG3NTR,826-8591,ROHM UMG3NTR 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 5引脚 SC-88A封装 ,ROHM
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UMG3NTR
ROHM UMG3NTR 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 5引脚 SC-88A封装
制造商零件编号:
UMG3NTR
制造商:
ROHM
ROHM
库存编号:
826-8591
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
UMG3NTR产品详细信息
单电阻器双数字晶体管,ROHM
UMG3NTR产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.1mm
尺寸
2.1 x 1.35 x 0.9mm
底座发射器电阻器
None
典型电阻比
无
典型输入电阻器
4.7 kΩ
封装类型
SC-88A
高度
0.9mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
共发射极
宽度
1.35mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
5
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
300 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.15 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
关键词
UMG3NTR相关搜索
安装类型 表面贴装
ROHM 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ROHM 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.1mm
ROHM 长度 2.1mm
数字晶体管 长度 2.1mm
ROHM 数字晶体管 长度 2.1mm
尺寸 2.1 x 1.35 x 0.9mm
ROHM 尺寸 2.1 x 1.35 x 0.9mm
数字晶体管 尺寸 2.1 x 1.35 x 0.9mm
ROHM 数字晶体管 尺寸 2.1 x 1.35 x 0.9mm
底座发射器电阻器 None
ROHM 底座发射器电阻器 None
数字晶体管 底座发射器电阻器 None
ROHM 数字晶体管 底座发射器电阻器 None
典型电阻比 无
ROHM 典型电阻比 无
数字晶体管 典型电阻比 无
ROHM 数字晶体管 典型电阻比 无
典型输入电阻器 4.7 kΩ
ROHM 典型输入电阻器 4.7 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ
ROHM 数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ
封装类型 SC-88A
ROHM 封装类型 SC-88A
数字晶体管 封装类型 SC-88A
ROHM 数字晶体管 封装类型 SC-88A
高度 0.9mm
ROHM 高度 0.9mm
数字晶体管 高度 0.9mm
ROHM 数字晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 NPN
ROHM 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
ROHM 数字晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 共发射极
ROHM 晶体管配置 共发射极
数字晶体管 晶体管配置 共发射极
ROHM 数字晶体管 晶体管配置 共发射极
宽度 1.35mm
ROHM 宽度 1.35mm
数字晶体管 宽度 1.35mm
ROHM 数字晶体管 宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 2
ROHM 每片芯片元件数目 2
数字晶体管 每片芯片元件数目 2
ROHM 数字晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 5
ROHM 引脚数目 5
数字晶体管 引脚数目 5
ROHM 数字晶体管 引脚数目 5
最大发射极-基极电压 5 V
ROHM 最大发射极-基极电压 5 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ROHM 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 300 mW
ROHM 最大功率耗散 300 mW
数字晶体管 最大功率耗散 300 mW
ROHM 数字晶体管 最大功率耗散 300 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
ROHM 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
ROHM 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
最大集电极-发射极电压 50 V
ROHM 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 100 mA
ROHM 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
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最高工作温度 +150 °C
ROHM 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 100
ROHM 最小直流电流增益 100
数字晶体管 最小直流电流增益 100
ROHM 数字晶体管 最小直流电流增益 100
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UMG3NTR产品技术参数资料
EMG3-UMG3N-FMG3A Complex Digital NPN Transistor
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