BDX53CTU,807-5172,Fairchild Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
BDX53CTU
库存编号:
807-5172
Fairchild Semiconductor BDX53CTU
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BDX53CTU产品详细信息

复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor

BDX53CTU产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  9.9mm  
  尺寸  9.9 x 4.5 x 15.95mm  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  60 W  
  最大基极-发射极饱和电压  2.5 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  2 V  
  最大集电极-发射极电压  100 V  
  最大集电极-基极电压  100 V  
  最大集电极-基极截止电流  200 μA, 500 μA  
  最大连续集电极电流  8 A  
  最高工作温度  150 °C  
  最小直流电流增益  750  
关键词         

BDX53CTU相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  达林顿晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔   长度 9.9mm  Fairchild Semiconductor 长度 9.9mm  达林顿晶体管 长度 9.9mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 长度 9.9mm   尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm  达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm   封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220  达林顿晶体管 封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.95mm  Fairchild Semiconductor 高度 15.95mm  达林顿晶体管 高度 15.95mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 高度 15.95mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  达林顿晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  达林顿晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.5mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.5mm  达林顿晶体管 宽度 4.5mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.5mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  达林顿晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 60 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 60 W  达林顿晶体管 最大功率耗散 60 W  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 60 W   最大基极-发射极饱和电压 2.5 V  Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 2.5 V  达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.5 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.5 V   最大集电极-发射极饱和电压 2 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 2 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2 V   最大集电极-发射极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V   最大集电极-基极截止电流 200 μA, 500 μA  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 200 μA, 500 μA  达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 200 μA, 500 μA  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 200 μA, 500 μA   最大连续集电极电流 8 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 8 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 8 A  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 8 A   最高工作温度 150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 150 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 150 °C  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 150 °C   最小直流电流增益 750  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 750  达林顿晶体管 最小直流电流增益 750  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 750  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号