BSP52T3G,800-9702,ON Semiconductor BSP52T3G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3 + 1 (Tab)引脚 SOT-223封装 ,ON Semiconductor
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BSP52T3G
ON Semiconductor BSP52T3G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3 + 1 (Tab)引脚 SOT-223封装
制造商零件编号：
BSP52T3G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
800-9702
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BSP52T3G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.7mm
尺寸
6.7 x 3.7 x 1.75mm
封装类型
SOT-223
高度
1.75mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
3.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3 + 1 (Tab)
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
125 W
最大基极-发射极饱和电压
1.9 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.3 V
最大集电极-发射极电压
80 V
最大集电极-基极电压
90 V
最大连续集电极电流
1 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
2000
关键词
BSP52T3G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.7mm
ON Semiconductor 长度 6.7mm
达林顿晶体管 长度 6.7mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 6.7mm
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.75mm
ON Semiconductor 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.75mm
达林顿晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.75mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.75mm
封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 封装类型 SOT-223
达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.75mm
ON Semiconductor 高度 1.75mm
达林顿晶体管 高度 1.75mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 1.75mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.7mm
ON Semiconductor 宽度 3.7mm
达林顿晶体管 宽度 3.7mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 3.7mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3 + 1 (Tab)
ON Semiconductor 引脚数目 3 + 1 (Tab)
达林顿晶体管 引脚数目 3 + 1 (Tab)
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3 + 1 (Tab)
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 125 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 125 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 125 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 125 W
最大基极-发射极饱和电压 1.9 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.9 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.9 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.9 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.3 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.3 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.3 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.3 V
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最大集电极-基极电压 90 V
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最大连续集电极电流 1 A
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最低工作温度 -65 °C
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达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 2000
ON Semiconductor 最小直流电流增益 2000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 2000
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BSP52T3G产品技术参数资料
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