2N6038G,774-3423,ON Semiconductor 2N6038G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=60 V, HFE=100, 3引脚 TO-225AA封装 ,ON Semiconductor
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2N6038G
ON Semiconductor 2N6038G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=60 V, HFE=100, 3引脚 TO-225AA封装
制造商零件编号：
2N6038G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
774-3423
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2N6038G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
11.04mm
尺寸
11.04 x 7.74 x 2.66mm
封装类型
TO-225AA
高度
2.66mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
7.74mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
40 W
最大基极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极饱和电压
3 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
60 V
最大集电极-基极截止电流
100μA
最大连续集电极电流
4 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 11.04mm
ON Semiconductor 长度 11.04mm
达林顿晶体管 长度 11.04mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 11.04mm
尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
ON Semiconductor 尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
达林顿晶体管 尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
封装类型 TO-225AA
ON Semiconductor 封装类型 TO-225AA
达林顿晶体管 封装类型 TO-225AA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-225AA
高度 2.66mm
ON Semiconductor 高度 2.66mm
达林顿晶体管 高度 2.66mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 2.66mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 7.74mm
ON Semiconductor 宽度 7.74mm
达林顿晶体管 宽度 7.74mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 7.74mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 40 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 40 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 40 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 40 W
最大基极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极饱和电压 3 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 60 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 60 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 60 V
最大集电极-基极截止电流 100μA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 100μA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 100μA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 100μA
最大连续集电极电流 4 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 4 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 4 A
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最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 最小直流电流增益 100
达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
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2N6038G产品技术参数资料
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