MC1413BDR2G,773-7743,ON Semiconductor MC1413BDR2G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ON Semiconductor MC1413BDR2G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
MC1413BDR2G
库存编号:
773-7743
ON Semiconductor MC1413BDR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MC1413BDR2G产品详细信息

NPN 复合晶体管,On Semiconductor

标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

MC1413BDR2G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4 x 1.5mm  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  共发射极  
  宽度  4mm  
  每片芯片元件数目  7  
  引脚数目  16  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  1.6 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  500 mA  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小直流电流增益  1000  
关键词         

MC1413BDR2G相关搜索

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  达林顿晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10mm  ON Semiconductor 长度 10mm  达林顿晶体管 长度 10mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 10mm   尺寸 10 x 4 x 1.5mm  ON Semiconductor 尺寸 10 x 4 x 1.5mm  达林顿晶体管 尺寸 10 x 4 x 1.5mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 10 x 4 x 1.5mm   封装类型 SOIC  ON Semiconductor 封装类型 SOIC  达林顿晶体管 封装类型 SOIC  ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  ON Semiconductor 高度 1.5mm  达林顿晶体管 高度 1.5mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 1.5mm   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  达林顿晶体管 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 共发射极  ON Semiconductor 晶体管配置 共发射极  达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极  ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极   宽度 4mm  ON Semiconductor 宽度 4mm  达林顿晶体管 宽度 4mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4mm   每片芯片元件数目 7  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 7  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7  ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7   引脚数目 16  ON Semiconductor 引脚数目 16  达林顿晶体管 引脚数目 16  ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 16   最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V   最大集电极-发射极电压 50 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 500 mA  ON Semiconductor 最大连续集电极电流 500 mA  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA   最低工作温度 -40 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C  达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +85 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +85 °C  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +85 °C   最小直流电流增益 1000  ON Semiconductor 最小直流电流增益 1000  达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

MC1413BDR2G产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号