ULQ2001A,686-8192,STMicroelectronics ULQ2001A NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics ULQ2001A NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装

制造商零件编号:
ULQ2001A
库存编号:
686-8192
STMicroelectronics ULQ2001A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ULQ2001A产品详细信息

复合晶体管阵列,STMicroelectronics

达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列,包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管,用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚,采用 IC 封装,用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平,用于 TTL 或 CMOS。

ULQ2001A产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  20mm  
  尺寸  20 x 7.1 x 5.1mm  
  封装类型  PDIP  
  高度  5.1mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  共发射极  
  宽度  7.1mm  
  每片芯片元件数目  7  
  引脚数目  16  
  最大集电极-发射极饱和电压  1.6 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  0.5 A  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +105 °C  
  最小直流电流增益  1000  
关键词         

ULQ2001A相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  达林顿晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics 达林顿晶体管 安装类型 通孔   长度 20mm  STMicroelectronics 长度 20mm  达林顿晶体管 长度 20mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 20mm   尺寸 20 x 7.1 x 5.1mm  STMicroelectronics 尺寸 20 x 7.1 x 5.1mm  达林顿晶体管 尺寸 20 x 7.1 x 5.1mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 20 x 7.1 x 5.1mm   封装类型 PDIP  STMicroelectronics 封装类型 PDIP  达林顿晶体管 封装类型 PDIP  STMicroelectronics 达林顿晶体管 封装类型 PDIP   高度 5.1mm  STMicroelectronics 高度 5.1mm  达林顿晶体管 高度 5.1mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 高度 5.1mm   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  达林顿晶体管 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 共发射极  STMicroelectronics 晶体管配置 共发射极  达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极  STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极   宽度 7.1mm  STMicroelectronics 宽度 7.1mm  达林顿晶体管 宽度 7.1mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 7.1mm   每片芯片元件数目 7  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 7  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7  STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7   引脚数目 16  STMicroelectronics 引脚数目 16  达林顿晶体管 引脚数目 16  STMicroelectronics 达林顿晶体管 引脚数目 16   最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V   最大集电极-发射极电压 50 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 50 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 0.5 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 0.5 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.5 A  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.5 A   最低工作温度 -40 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -40 °C  达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +105 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +105 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +105 °C  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最高工作温度 +105 °C   最小直流电流增益 1000  STMicroelectronics 最小直流电流增益 1000  达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号