ULN2004AID,665-9194,Texas Instruments ULN2004AID NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装 ,Texas Instruments
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Texas Instruments ULN2004AID NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
ULN2004AID
库存编号:
665-9194
Texas Instruments ULN2004AID
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ULN2004AID产品详细信息

Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments

This array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.

ULN2004AID产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  9.9mm  
  尺寸  9.9 x 3.91 x 1.58mm  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.58mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  共发射极  
  宽度  3.91mm  
  每片芯片元件数目  7  
  引脚数目  16  
  最大集电极-发射极饱和电压  1.6 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  0.5 A  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +105 °C  
关键词         

ULN2004AID相关搜索

安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  达林顿晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.9mm  Texas Instruments 长度 9.9mm  达林顿晶体管 长度 9.9mm  Texas Instruments 达林顿晶体管 长度 9.9mm   尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm  Texas Instruments 尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm  达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm  Texas Instruments 达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm   封装类型 SOIC  Texas Instruments 封装类型 SOIC  达林顿晶体管 封装类型 SOIC  Texas Instruments 达林顿晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.58mm  Texas Instruments 高度 1.58mm  达林顿晶体管 高度 1.58mm  Texas Instruments 达林顿晶体管 高度 1.58mm   晶体管类型 NPN  Texas Instruments 晶体管类型 NPN  达林顿晶体管 晶体管类型 NPN  Texas Instruments 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 共发射极  Texas Instruments 晶体管配置 共发射极  达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极  Texas Instruments 达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极   宽度 3.91mm  Texas Instruments 宽度 3.91mm  达林顿晶体管 宽度 3.91mm  Texas Instruments 达林顿晶体管 宽度 3.91mm   每片芯片元件数目 7  Texas Instruments 每片芯片元件数目 7  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7  Texas Instruments 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7   引脚数目 16  Texas Instruments 引脚数目 16  达林顿晶体管 引脚数目 16  Texas Instruments 达林顿晶体管 引脚数目 16   最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  Texas Instruments 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V  Texas Instruments 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Texas Instruments 最大集电极-发射极电压 50 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Texas Instruments 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 0.5 A  Texas Instruments 最大连续集电极电流 0.5 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.5 A  Texas Instruments 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.5 A   最低工作温度 -40 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -40 °C  达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C  Texas Instruments 达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +105 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +105 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +105 °C  Texas Instruments 达林顿晶体管 最高工作温度 +105 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号