2SD1509(Q),531-9848,Toshiba 2SD1509(Q) NPN 达林顿晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 PW Mold封装 ,Toshiba
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Toshiba 2SD1509(Q) NPN 达林顿晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 PW Mold封装

制造商零件编号:
2SD1509(Q)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
531-9848
Toshiba 2SD1509(Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2SD1509(Q)产品详细信息

NPN Darlington Transistors, Toshiba

2SD1509(Q)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 5.5 x 2.3mm  
  封装类型  PW Mold  
  高度  2.3mm  
  晶体管类型  NPN  
  宽度  5.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  8 V  
  最大基极-发射极饱和电压  2 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  1.5 V  
  最大集电极-发射极电压  80 V  
  最大集电极-基极电压  80 V  
  最大集电极-基极截止电流  0.01mA  
  最大连续集电极电流  2 A  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  2000  
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