1808JA250331KXTSY2,773-9780,Syfer Technology Y2/X1 Surge Protection 系列 330pF 250 V X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 1808JA250331KXTSY2, ±10%容差, 1808封装 ,Syfer Technology
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Syfer Technology Y2/X1 Surge Protection 系列 330pF 250 V X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 1808JA250331KXTSY2, ±10%容差, 1808封装

制造商零件编号:
1808JA250331KXTSY2
库存编号:
773-9780
Syfer Technology 1808JA250331KXTSY2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

1808JA250331KXTSY2产品详细信息

Syfer 250V 交流 Y2/X1 浪涌保护

浪涌保护 (SY2) 系列陶瓷片状电容器符合 Y2/X1 类标准,专为在可能出现过电压浪涌经过 EC 60950(2000 年版)认证的设备中使用设计
此系列通过 TüV 认证,并符合 IEC 60384-14: 1993 和 EN 132400: 1994 的电气要求

1808JA250331KXTSY2产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.5mm  
  尺寸  4.5 x 2 x 2mm  
  电介质  X7R  
  电容值  330 pF  
  电压  250 V  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  1808 年  
  高度  2mm  
  容差  ±10%  
  容差 负  -10%  
  容差 正  +10%  
  深度  2mm  
  温度系数  ±15%  
  系列  Y2/X1 Surge Protection  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

1808JA250331KXTSY2相关搜索

安装类型 表面贴装  Syfer Technology 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   长度 4.5mm  Syfer Technology 长度 4.5mm  陶瓷多层电容器 长度 4.5mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 4.5mm   尺寸 4.5 x 2 x 2mm  Syfer Technology 尺寸 4.5 x 2 x 2mm  陶瓷多层电容器 尺寸 4.5 x 2 x 2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 4.5 x 2 x 2mm   电介质 X7R  Syfer Technology 电介质 X7R  陶瓷多层电容器 电介质 X7R  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 X7R   电容值 330 pF  Syfer Technology 电容值 330 pF  陶瓷多层电容器 电容值 330 pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电容值 330 pF   电压 250 V  Syfer Technology 电压 250 V  陶瓷多层电容器 电压 250 V  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电压 250 V   端子类型 表面安装  Syfer Technology 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 1808 年  Syfer Technology 封装/外壳 1808 年  陶瓷多层电容器 封装/外壳 1808 年  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 封装/外壳 1808 年   高度 2mm  Syfer Technology 高度 2mm  陶瓷多层电容器 高度 2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 2mm   容差 ±10%  Syfer Technology 容差 ±10%  陶瓷多层电容器 容差 ±10%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±10%   容差 负 -10%  Syfer Technology 容差 负 -10%  陶瓷多层电容器 容差 负 -10%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -10%   容差 正 +10%  Syfer Technology 容差 正 +10%  陶瓷多层电容器 容差 正 +10%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +10%   深度 2mm  Syfer Technology 深度 2mm  陶瓷多层电容器 深度 2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 2mm   温度系数 ±15%  Syfer Technology 温度系数 ±15%  陶瓷多层电容器 温度系数 ±15%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 温度系数 ±15%   系列 Y2/X1 Surge Protection  Syfer Technology 系列 Y2/X1 Surge Protection  陶瓷多层电容器 系列 Y2/X1 Surge Protection  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 系列 Y2/X1 Surge Protection   最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 最高工作温度 +125°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

1808JA250331KXTSY2产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号