VJ0402A101JXAAT,652-1711,Vishay VJ 系列 100pF 50 V 直流 C0G电介质 多层陶瓷电容器 (MLCC) VJ0402A101JXAAT, ±5%容差, 0402封装 ,Vishay
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VJ0402A101JXAAT
Vishay VJ 系列 100pF 50 V 直流 C0G电介质 多层陶瓷电容器 (MLCC) VJ0402A101JXAAT, ±5%容差, 0402封装
制造商零件编号:
VJ0402A101JXAAT
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
652-1711
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
VJ0402A101JXAAT产品详细信息
VJ0402A101JXAAT产品技术参数
长度
1mm
尺寸
1 x 0.5 x 0.6mm
电介质
C0G
电介质材料系列
C0G(NP0)
电容值
100 pF
电压
50 V 直流
封装/外壳
0402
高度
0.6mm
耗散因数
0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C
容差
±5%
容差 负
-5%
容差 正
+5%
深度
0.5mm
温度系数
±30ppm/°C
系列
VJ
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+150°C
关键词
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电容值 100 pF
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电压 50 V 直流
Vishay 电压 50 V 直流
陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流
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封装/外壳 0402
Vishay 封装/外壳 0402
陶瓷多层电容器 封装/外壳 0402
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高度 0.6mm
Vishay 高度 0.6mm
陶瓷多层电容器 高度 0.6mm
Vishay 陶瓷多层电容器 高度 0.6mm
耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C
Vishay 耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C
陶瓷多层电容器 耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C
Vishay 陶瓷多层电容器 耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C
容差 ±5%
Vishay 容差 ±5%
陶瓷多层电容器 容差 ±5%
Vishay 陶瓷多层电容器 容差 ±5%
容差 负 -5%
Vishay 容差 负 -5%
陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
Vishay 陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
容差 正 +5%
Vishay 容差 正 +5%
陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
Vishay 陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
深度 0.5mm
Vishay 深度 0.5mm
陶瓷多层电容器 深度 0.5mm
Vishay 陶瓷多层电容器 深度 0.5mm
温度系数 ±30ppm/°C
Vishay 温度系数 ±30ppm/°C
陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C
Vishay 陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C
系列 VJ
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最低工作温度 -55°C
Vishay 最低工作温度 -55°C
陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C
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最高工作温度 +150°C
Vishay 最高工作温度 +150°C
陶瓷多层电容器 最高工作温度 +150°C
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VJ0402A101JXAAT产品技术参数资料
Datasheet
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