VJ0805A102JXBAT,393-7056,Vishay VJ 系列 1nF 100 V 直流 C0G电介质 多层陶瓷电容器 (MLCC) VJ0805A102JXBAT, ±5%容差, 0805封装 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay VJ 系列 1nF 100 V 直流 C0G电介质 多层陶瓷电容器 (MLCC) VJ0805A102JXBAT, ±5%容差, 0805封装

制造商零件编号:
VJ0805A102JXBAT
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
393-7056
Vishay VJ0805A102JXBAT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

VJ0805A102JXBAT产品详细信息

VJ0805 系列

Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G (NPO) 和 X7R 电介质选项,VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。

产品应用信息

湿法构建过程
可靠的贵金属电极 (NME) 系统
极佳的耐老化特性

这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用,还适用于计时和谐调电路。

VJ0805A102JXBAT产品技术参数

  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1.45mm  
  电介质  C0G  
  电介质材料系列  C0G(NP0)  
  电容值  1 nF  
  电压  100 V 直流  
  封装/外壳  0805  
  高度  1.45mm  
  耗散因数  0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C  
  容差  ±5%  
  容差 负  -5%  
  容差 正  +5%  
  深度  1.25mm  
  温度系数  ±30ppm/°C  
  系列  VJ  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +150°C  
关键词         

VJ0805A102JXBAT相关搜索

长度 2mm  Vishay 长度 2mm  陶瓷多层电容器 长度 2mm  Vishay 陶瓷多层电容器 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 1.45mm  Vishay 尺寸 2 x 1.25 x 1.45mm  陶瓷多层电容器 尺寸 2 x 1.25 x 1.45mm  Vishay 陶瓷多层电容器 尺寸 2 x 1.25 x 1.45mm   电介质 C0G  Vishay 电介质 C0G  陶瓷多层电容器 电介质 C0G  Vishay 陶瓷多层电容器 电介质 C0G   电介质材料系列 C0G(NP0)  Vishay 电介质材料系列 C0G(NP0)  陶瓷多层电容器 电介质材料系列 C0G(NP0)  Vishay 陶瓷多层电容器 电介质材料系列 C0G(NP0)   电容值 1 nF  Vishay 电容值 1 nF  陶瓷多层电容器 电容值 1 nF  Vishay 陶瓷多层电容器 电容值 1 nF   电压 100 V 直流  Vishay 电压 100 V 直流  陶瓷多层电容器 电压 100 V 直流  Vishay 陶瓷多层电容器 电压 100 V 直流   封装/外壳 0805  Vishay 封装/外壳 0805  陶瓷多层电容器 封装/外壳 0805  Vishay 陶瓷多层电容器 封装/外壳 0805   高度 1.45mm  Vishay 高度 1.45mm  陶瓷多层电容器 高度 1.45mm  Vishay 陶瓷多层电容器 高度 1.45mm   耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C  Vishay 耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C  陶瓷多层电容器 耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C  Vishay 陶瓷多层电容器 耗散因数 0.1 % maximum at 1.0 VRMS and 1 MHz@25°C   容差 ±5%  Vishay 容差 ±5%  陶瓷多层电容器 容差 ±5%  Vishay 陶瓷多层电容器 容差 ±5%   容差 负 -5%  Vishay 容差 负 -5%  陶瓷多层电容器 容差 负 -5%  Vishay 陶瓷多层电容器 容差 负 -5%   容差 正 +5%  Vishay 容差 正 +5%  陶瓷多层电容器 容差 正 +5%  Vishay 陶瓷多层电容器 容差 正 +5%   深度 1.25mm  Vishay 深度 1.25mm  陶瓷多层电容器 深度 1.25mm  Vishay 陶瓷多层电容器 深度 1.25mm   温度系数 ±30ppm/°C  Vishay 温度系数 ±30ppm/°C  陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C  Vishay 陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C   系列 VJ  Vishay 系列 VJ  陶瓷多层电容器 系列 VJ  Vishay 陶瓷多层电容器 系列 VJ   最低工作温度 -55°C  Vishay 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  Vishay 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +150°C  Vishay 最高工作温度 +150°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +150°C  Vishay 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +150°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

VJ0805A102JXBAT产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号