MC74VHCT125ADR2G,805-6414,MC74VHCT125ADR2G HCT 总线缓冲器, 16 ns@ 50 pF, 25mA, 2 → 5.5 V, 14引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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MC74VHCT125ADR2G
MC74VHCT125ADR2G HCT 总线缓冲器, 16 ns@ 50 pF, 25mA, 2 → 5.5 V, 14引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
MC74VHCT125ADR2G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
805-6414
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MC74VHCT125ADR2G产品详细信息
74VHCT 系列，ON Semiconductor
MC74VHCT125ADR2G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
8.75mm
尺寸
8.75 x 4 x 1.5mm
传输延迟测试条件
50pF
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
宽度
4mm
逻辑系列
HCT
每片芯片元件数目
4
引脚数目
14
元件输入数目
4
最长传播延迟时间@最长CL
16 ns@ 50 pF
最大低电平输出电流
25mA
最大高电平输出电流
-25mA
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
2 V
关键词
MC74VHCT125ADR2G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
总线缓冲器 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 总线缓冲器 安装类型 表面贴装
长度 8.75mm
ON Semiconductor 长度 8.75mm
总线缓冲器 长度 8.75mm
ON Semiconductor 总线缓冲器 长度 8.75mm
尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm
总线缓冲器 尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 总线缓冲器 尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm
传输延迟测试条件 50pF
ON Semiconductor 传输延迟测试条件 50pF
总线缓冲器 传输延迟测试条件 50pF
ON Semiconductor 总线缓冲器 传输延迟测试条件 50pF
封装类型 SOIC
ON Semiconductor 封装类型 SOIC
总线缓冲器 封装类型 SOIC
ON Semiconductor 总线缓冲器 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
ON Semiconductor 高度 1.5mm
总线缓冲器 高度 1.5mm
ON Semiconductor 总线缓冲器 高度 1.5mm
宽度 4mm
ON Semiconductor 宽度 4mm
总线缓冲器 宽度 4mm
ON Semiconductor 总线缓冲器 宽度 4mm
逻辑系列 HCT
ON Semiconductor 逻辑系列 HCT
总线缓冲器 逻辑系列 HCT
ON Semiconductor 总线缓冲器 逻辑系列 HCT
每片芯片元件数目 4
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 4
总线缓冲器 每片芯片元件数目 4
ON Semiconductor 总线缓冲器 每片芯片元件数目 4
引脚数目 14
ON Semiconductor 引脚数目 14
总线缓冲器 引脚数目 14
ON Semiconductor 总线缓冲器 引脚数目 14
元件输入数目 4
ON Semiconductor 元件输入数目 4
总线缓冲器 元件输入数目 4
ON Semiconductor 总线缓冲器 元件输入数目 4
最长传播延迟时间@最长CL 16 ns@ 50 pF
ON Semiconductor 最长传播延迟时间@最长CL 16 ns@ 50 pF
总线缓冲器 最长传播延迟时间@最长CL 16 ns@ 50 pF
ON Semiconductor 总线缓冲器 最长传播延迟时间@最长CL 16 ns@ 50 pF
最大低电平输出电流 25mA
ON Semiconductor 最大低电平输出电流 25mA
总线缓冲器 最大低电平输出电流 25mA
ON Semiconductor 总线缓冲器 最大低电平输出电流 25mA
最大高电平输出电流 -25mA
ON Semiconductor 最大高电平输出电流 -25mA
总线缓冲器 最大高电平输出电流 -25mA
ON Semiconductor 总线缓冲器 最大高电平输出电流 -25mA
最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
总线缓冲器 最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 总线缓冲器 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
总线缓冲器 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 总线缓冲器 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
总线缓冲器 最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 总线缓冲器 最高工作温度 +125 °C
最小工作电源电压 2 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 2 V
总线缓冲器 最小工作电源电压 2 V
ON Semiconductor 总线缓冲器 最小工作电源电压 2 V
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MC74VHCT125ADR2G产品技术参数资料
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