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安装类型	表面贴装
长度	1.08mm
尺寸	1.075 x 0.675 x 0.47mm
封装类型	DFN
高度	0.47mm
晶体管材料	Si
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	0.675mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	6 V
最大工作频率	100 MHz
最大功率耗散	1 W
最大基极-发射极饱和电压	1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	250 mV
最大集电极-发射极电压	40 V
最大集电极-基极电压	40 V
最大直流集电极电流	500 mA
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	50
关键词

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• DSS2540M, 40V NPN Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Transistor