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安装类型	通孔
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 2.3 x 7mm
封装类型	TO-251
高度	7mm
晶体管材料	Si
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	2.3mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	9 V
最大功率耗散	35 W
最大基极-发射极饱和电压	1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	1.5 V
最大集电极-发射极电压	400 V
最大集电极-基极电压	700 V
最大直流集电极电流	4 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	10
关键词

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• TSC5304ED, High Voltage NPN Transistor with Diode