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安装类型	通孔
长度	7.5mm
尺寸	7.5 x 2.55 x 10.85mm
封装类型	TO-126
高度	10.85mm
晶体管材料	Si
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	2.55mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大工作频率	100 MHz
最大功率耗散	10 W
最大基极-发射极饱和电压	-2 V
最大集电极-发射极饱和电压	-0.5 V
最大集电极-发射极电压	30 V
最大集电极-基极电压	-50 V
最大直流集电极电流	3 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	100
关键词

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• TSB772, Low Vce(sat) PNP Transistor