BFP640H6327,827-5063,Infineon BFP640H6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 50 mA, Vce=4 V, HFE:110, 40 GHz, 4引脚 SOT-343封装 ,Infineon
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Infineon BFP640H6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 50 mA, Vce=4 V, HFE:110, 40 GHz, 4引脚 SOT-343封装

制造商零件编号:
BFP640H6327
库存编号:
827-5063
Infineon BFP640H6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BFP640H6327产品详细信息

SiGe 射频双极晶体管,Infineon

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

BFP640H6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 0.9mm  
  封装类型  SOT-343  
  高度  0.9mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.25mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  4  
  最大发射极-基极电压  1.2 V  
  最大工作频率  40 GHz  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大集电极-发射极电压  4 V  
  最大集电极-基极电压  13 V  
  最大直流集电极电流  50 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  110  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BFP640H6327产品技术参数资料

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