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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.39mm
封装类型	DPAK
高度	2.39mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	14 V
最大功率耗散	1.25 W
最大基极-发射极饱和电压	1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.5 V
最大集电极-发射极电压	400 V
最大集电极-基极电压	1050 V
最大直流集电极电流	3 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	10
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor 长度 6.73mm  双极晶体管 长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  双极晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 DPAK  双极晶体管 封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor 高度 2.39mm  双极晶体管 高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 2.39mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.22mm  双极晶体管 宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 14 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 14 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 14 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 14 V   最大功率耗散 1.25 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1.25 W  双极晶体管 最大功率耗散 1.25 W  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 1.25 W   最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V   最大集电极-发射极电压 400 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 400 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V   最大集电极-基极电压 1050 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 1050 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 1050 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 1050 V   最大直流集电极电流 3 A  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 3 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 10  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 10  双极晶体管 最小直流电流增益 10  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 10  

• FJD5553, NPN Silicon Transistor Data Sheet