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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.1 x 2.3mm
封装类型	DPAK
高度	2.3mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	6.1mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大功率耗散	15 W
最大集电极-发射极饱和电压	-1.2 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	-100 V
最大直流集电极电流	3 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	10
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  Fairchild Semiconductor 长度 6.6mm  双极晶体管 长度 6.6mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm  双极晶体管 尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm   封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 DPAK  双极晶体管 封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.3mm  Fairchild Semiconductor 高度 2.3mm  双极晶体管 高度 2.3mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 2.3mm   晶体管类型 PNP  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.1mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.1mm  双极晶体管 宽度 6.1mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 6.1mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -5 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V   最大功率耗散 15 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 15 W  双极晶体管 最大功率耗散 15 W  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 15 W   最大集电极-发射极饱和电压 -1.2 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -1.2 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -1.2 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -1.2 V   最大集电极-发射极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 -100 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -100 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V   最大直流集电极电流 3 A  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 3 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 10  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 10  双极晶体管 最小直流电流增益 10  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 10  

• MJD32/32C, PNP Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Data Sheet