BC856BDW1T3G,773-7636,ON Semiconductor BC856BDW1T3G, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:220, 100 MHz, 6引脚 SOT-363封装 ,ON Semiconductor
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BC856BDW1T3G
ON Semiconductor BC856BDW1T3G, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:220, 100 MHz, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号：
BC856BDW1T3G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
773-7636
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BC856BDW1T3G产品详细信息
小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
BC856BDW1T3G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.08mm
尺寸
2.0 x 1.25 x 0.95mm
封装类型
SOT-363
高度
0.95mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
隔离式
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
100 MHz
最大功率耗散
380 mW
最大集电极-发射极饱和电压
-0.65 V
最大集电极-发射极电压
65 V
最大集电极-基极电压
-80 V
最大直流集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
220
关键词
BC856BDW1T3G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.08mm
ON Semiconductor 长度 2.08mm
双极晶体管 长度 2.08mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 2.08mm
尺寸 2.0 x 1.25 x 0.95mm
ON Semiconductor 尺寸 2.0 x 1.25 x 0.95mm
双极晶体管 尺寸 2.0 x 1.25 x 0.95mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 2.0 x 1.25 x 0.95mm
封装类型 SOT-363
ON Semiconductor 封装类型 SOT-363
双极晶体管 封装类型 SOT-363
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-363
高度 0.95mm
ON Semiconductor 高度 0.95mm
双极晶体管 高度 0.95mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 0.95mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式
双极晶体管 晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.25mm
ON Semiconductor 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
双极晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 -5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 100 MHz
双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
最大功率耗散 380 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 380 mW
双极晶体管 最大功率耗散 380 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 380 mW
最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
最大集电极-发射极电压 65 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 65 V
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最大集电极-基极电压 -80 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 -80 V
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最大直流集电极电流 100 mA
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最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 220
ON Semiconductor 最小直流电流增益 220
双极晶体管 最小直流电流增益 220
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 220
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BC856BDW1T3G产品技术参数资料
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