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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型	SOT-343
高度	0.8mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	1.25mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	4
最大发射极-基极电压	1.5 V
最大功率耗散	500 mW
最大集电极-发射极电压	4.5 V
最大集电极-基极电压	15 V
最大直流集电极电流	170 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	50
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Infineon 长度 2mm  双极晶体管 长度 2mm  Infineon 双极晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm   封装类型 SOT-343  Infineon 封装类型 SOT-343  双极晶体管 封装类型 SOT-343  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-343   高度 0.8mm  Infineon 高度 0.8mm  双极晶体管 高度 0.8mm  Infineon 双极晶体管 高度 0.8mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.25mm  Infineon 宽度 1.25mm  双极晶体管 宽度 1.25mm  Infineon 双极晶体管 宽度 1.25mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 4  Infineon 引脚数目 4  双极晶体管 引脚数目 4  Infineon 双极晶体管 引脚数目 4   最大发射极-基极电压 1.5 V  Infineon 最大发射极-基极电压 1.5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 1.5 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 1.5 V   最大功率耗散 500 mW  Infineon 最大功率耗散 500 mW  双极晶体管 最大功率耗散 500 mW  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大集电极-发射极电压 4.5 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 4.5 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 4.5 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 4.5 V   最大集电极-基极电压 15 V  Infineon 最大集电极-基极电压 15 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 15 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 15 V   最大直流集电极电流 170 mA  Infineon 最大直流集电极电流 170 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 170 mA  Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 170 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 50  Infineon 最小直流电流增益 50  双极晶体管 最小直流电流增益 50  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 50  

• BFP450, High Linearity Low Noise Si NPN RF Transistor