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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1.3mm
封装类型	SOT-26
高度	1.3mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	隔离式
宽度	1.7mm
每片芯片元件数目	2
引脚数目	6
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	215 MHz
最大功率耗散	1.7 W
最大基极-发射极饱和电压	1100 mV
最大集电极-发射极饱和电压	270 mV
最大集电极-发射极电压	50 V
最大集电极-基极电压	50 V
最大直流集电极电流	1 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	20
关键词

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• 50V Dual NPN Silicon Low Saturation Switching Transistor
• Datasheet