MJD31CT4,686-7931,STMicroelectronics MJD31CT4 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:3, 3引脚 TO-252封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics MJD31CT4 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:3, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
MJD31CT4
库存编号:
686-7931
STMicroelectronics MJD31CT4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MJD31CT4产品详细信息

NPN 功率晶体管,STMicroelectronics

MJD31CT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  2.4 x 6.6 x 6.2mm  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.4mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  15000 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  1.2 V  
  最大集电极-发射极电压  100 V  
  最大集电极-基极电压  100 V  
  最大直流集电极电流  3 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  3  
关键词         

MJD31CT4相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  STMicroelectronics 长度 6.6mm  双极晶体管 长度 6.6mm  STMicroelectronics 双极晶体管 长度 6.6mm   尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm  STMicroelectronics 尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm  双极晶体管 尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm  STMicroelectronics 双极晶体管 尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm   封装类型 TO-252  STMicroelectronics 封装类型 TO-252  双极晶体管 封装类型 TO-252  STMicroelectronics 双极晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.4mm  STMicroelectronics 高度 2.4mm  双极晶体管 高度 2.4mm  STMicroelectronics 双极晶体管 高度 2.4mm   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.2mm  STMicroelectronics 宽度 6.2mm  双极晶体管 宽度 6.2mm  STMicroelectronics 双极晶体管 宽度 6.2mm   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  STMicroelectronics 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 15000 mW  STMicroelectronics 最大功率耗散 15000 mW  双极晶体管 最大功率耗散 15000 mW  STMicroelectronics 双极晶体管 最大功率耗散 15000 mW   最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V   最大集电极-发射极电压 100 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 100 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 100 V  STMicroelectronics 最大集电极-基极电压 100 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 100 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-基极电压 100 V   最大直流集电极电流 3 A  STMicroelectronics 最大直流集电极电流 3 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A  STMicroelectronics 双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A   最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 3  STMicroelectronics 最小直流电流增益 3  双极晶体管 最小直流电流增益 3  STMicroelectronics 双极晶体管 最小直流电流增益 3  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

MJD31CT4产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号