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安装类型	通孔
长度	39.95mm
尺寸	39.95 x 26.67 x 7.87mm
封装类型	TO-3
高度	7.87mm
晶体管类型	NPN
宽度	26.67mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	10 V
最大功率耗散	300 W
最大基极-发射极饱和电压	1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压	1 V
最大集电极-发射极电压	175 V
最大直流集电极电流	80 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+200 °C
最小直流电流增益	10
关键词

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• BUP51 NPN Power Transistor 80A 175V