PBSS4160DPN,485-313,Nexperia PBSS4160DPN, 双 NPN，PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 (PNP) MHz，220 (NPN) MHz, 6引脚 TSOP封装 ,Nexperia
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Nexperia PBSS4160DPN, 双 NPN，PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 (PNP) MHz，220 (NPN) MHz, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号：
PBSS4160DPN
库存编号：
485-313
Nexperia PBSS4160DPN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PBSS4160DPN产品详细信息

低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管，Nexperia

一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

PBSS4160DPN产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  1 x 3.1 x 1.7mm  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管类型  NPN，PNP  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  2  
  引脚数目  6  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  185 (PNP) MHz, 220 (NPN) MHz  
  最大功率耗散  700 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  1.1 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.33 V  
  最大集电极-发射极电压  60 V  
  最大集电极-基极电压  80 V  
  最大直流集电极电流  1 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  100  
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PBSS4160DPN产品技术参数资料

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