产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRL2203NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9985
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRFR9024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0109
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF9410PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRF9410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0323
搜索
Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL520NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRL520NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1196
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NSPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z24NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4255
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5106TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRFH5106TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7787
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR120N, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR120N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1891
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL2203N, 75 A, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
AUIRL2203N
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9212
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IPD096N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5211
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IPD50R1K4CEBTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4607
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRLML5103GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1012
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4744
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRF640NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4817
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR9024N, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR9024N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1866
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR120NTRPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRLR120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3344
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7833PBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRLR7833PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3385
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N04N G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IPP041N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2321
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4858
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRF640NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9298
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NSPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRL2203NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0361
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF6724MTR1PBF, 27 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IRF6724MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6774
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IPD200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8369
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
BSC030N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5244
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 23 ns,
制造商零件编号:
IPB200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5443
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