产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4214DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3327
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3395
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4936BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4746
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI3457CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3298
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 Si3443CDV-T1-E3, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
Si3443CDV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3282
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4900DY-T1-GE3, 4.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4900DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3364
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