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Toshiba GT15J341 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT15J341
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5046
搜索
Toshiba GT40RR21 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT40RR21
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5052
搜索
Toshiba GT50JR22 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT50JR22
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5064
搜索
Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT40QR21,F(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4860
搜索
Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT30J341,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4867
搜索
ON Semiconductor NGTG12N60TF1G N沟道 IGBT, 88(脉冲)A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
NGTG12N60TF1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-6801
搜索
Fairchild Semiconductor SGP23N60UFTU N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
SGP23N60UFTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-2238
搜索
IXYS IXYN100N120B3H1 N沟道 IGBT, 165 A, Vce=1200 V, 5 → 30kHz, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYN100N120B3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7606
搜索
IXYS IXYN82N120C3 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYN82N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7628
搜索
Fairchild Semiconductor FGA25S125P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1250 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
FGA25S125P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0384
搜索
Fairchild Semiconductor FGL35N120FTDTU N沟道 IGBT, 70 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-264封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
FGL35N120FTDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0782
搜索
Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085 N沟道 IGBT, 46 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AA封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
ISL9V5036P3_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8751
搜索
IXYS IXA37IF1200HJ N沟道 IGBT, 58 A, Vce=1200 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXA37IF1200HJ
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0215
搜索
IXYS IXA55I1200HJ N沟道 IGBT, 84 A, Vce=1200 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXA55I1200HJ
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0219
搜索
IXYS IXYX100N120B3 N沟道 IGBT, 225 A, Vce=1200 V, 30kHz, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYX100N120B3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0221
搜索
IXYS IXA12IF1200PB N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXA12IF1200PB
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0231
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IXYS IXYP30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYP30N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0247
搜索
IXYS IXYH20N120C3D1 N沟道 IGBT, 36 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYH20N120C3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0269
搜索
IXYS IXYH30N120C3D1 N沟道 IGBT, 66 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYH30N120C3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0271
搜索
IXYS IXYH30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYH30N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0278
搜索
Infineon IGW25N120H3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IGW25N120H3
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8232
搜索
STMicroelectronics STGWT40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGWT40H65DFB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4506
搜索
STMicroelectronics STGF10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGF10H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7126
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Infineon IRGIB15B60KD1P N沟道 IGBT, 19 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IRGIB15B60KD1P
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3271
搜索
Infineon IRGS30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IRGS30B60KPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3281
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