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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5241
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86540, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86540
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  805-0365
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6258
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4641
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6772
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2414
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5185
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6252
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 模块 IPP80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6984
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA030N10N3 G, 79 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA030N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7431
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4936NT1G, 79 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4936NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4720
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5176
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7832TRPBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7832TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3896
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N04N G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP048N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2346
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3 G, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP048N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7440
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4898NFT1G, 37 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4898NFT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2954
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4923NET1G, 91 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4923NET1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  747-0923
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7540TRPBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR7540TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4199
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2410
  
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