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• ON Semiconductor BF423ZL1G , PNP 高压双极晶体管, 500 mA, Vce=250 V, HFE:50, 60 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BF423ZL1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  545-0129
  
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• NXP PBSS5350SS,115 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 8-SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  PBSS5350SS,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  518-1968
  
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• Fairchild Semiconductor BC63916_D27Z , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:100, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BC63916_D27Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  803-1150
  
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• ON Semiconductor NSS40601CF8T1G , NPN 晶体管, 6 A, Vce=40 V, HFE:200, 140 MHz, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  NSS40601CF8T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-6809
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSH114,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  508-539
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170_D26Z, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BS170_D26Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3596
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI3865DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4270
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8398
  
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• NXP N沟道 MOSFET 2N7002F,215, 475 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002F,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  725-8300
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTR4003NT3G, 560 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  NTR4003NT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4742
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  NX3008PBKW
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-0582
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI3900DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4277
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH108,215, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSH108,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-324
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BST82
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  112-5548
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 BSN20, 170 mA, Vds=50 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSN20,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  437-0656
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 2N7002E,215, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002E,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  725-8307
  
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• NXP BZT52H-B3V3 单路 齐纳二极管, 3.3V 2% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-B3V3
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0936
  
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• NXP BZT52H-C8V2 单路 齐纳二极管, 8.7V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-C8V2
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0954
  
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• NXP BZT52H-C62 单路 齐纳二极管, 62V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-C62
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-7867
  
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• Nexperia BZT52H-C30,115 单路 齐纳二极管, 30V 7% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-C30,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8275
  
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• Nexperia BZT52H-B5V1 单路 齐纳二极管, 5.1V 2% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-B5V1
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0948
  
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• NXP BZT52H-C5V6 单路 齐纳二极管, 6V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-C5V6
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0951
  
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• NXP BZT52H-C3V6 单路 齐纳二极管, 3.6V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-C3V6
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-7864
  
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• NXP BZT52H-B47 单路 齐纳二极管, 47V 2% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-B47
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0945
  
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• NXP BZT52H-C10 单路 齐纳二极管, 10V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BZT52H-C10
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-7851
  
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