产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-574
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R0-30YL, 91 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
PSMN5R0-30YL
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8126
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF2907ZLPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
IRF2907ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8816
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
IRFP3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6989
搜索
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
SI9934BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3399
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1010EZ
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7655
搜索
Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1324S-7P, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1324S-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9224
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
IRF9328PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9240
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907Z, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
AUIRFP2907Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7467
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
BSC028N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5241
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
IPP072N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5480
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
AUIRL1404ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4334
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
AUIRL1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4337
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
STP95N3LLH6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0203
搜索
STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL140N4LLF5, 140 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
STL140N4LLF5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0540
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
SiHP30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9348
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
IRF2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0278
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
SiHG30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9421
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 3LN01C-TB-E, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 CP封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
3LN01C-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5192
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 3LN01SS-TL-E, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 SSFP封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
3LN01SS-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5195
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R5-40PS, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
PSMN4R5-40PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2978
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP206-TL-H, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
ATP206-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9500
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
SQM120N06-3m5L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3945
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ROHM N沟道 SiC MOSFET 晶体管 SCT2280KEC, 14 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
SCT2280KEC
品牌:
ROHM
库存编号:
826-6902
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 19 ns,
制造商零件编号:
CSD19506KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4903
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