产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
STP75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2925
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4980
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DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMG6968UDM-7, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
DMG6968UDM-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4115
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
TK100E08N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5077
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6090
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
MDP10N60GTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4946
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2857
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
STB75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5077
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS4030-7PPBF, 190 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
IRLS4030-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7266
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB52N20TM, 52 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
FDB52N20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8983
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
STB75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6664
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N04S4-00, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
IPB180N04S4-00
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7420
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP52N20, 52 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
FDP52N20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4847
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STW75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
STW75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2934
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF44N25T, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
FDPF44N25T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3618
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET MMIX1F40N110P, 24 A, Vds=1100 V, 24引脚 SMPD封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
MMIX1F40N110P
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2510
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDF10N60GTH, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 53 ns,
制造商零件编号:
MDF10N60GTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4906
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