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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4993
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6113
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6126
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6258
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2414
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5185
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6252
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2863
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK11A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2875
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VX(J, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2879
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2881
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VX(J, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5003
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5012
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5019
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5176
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK11A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6110
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6117
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK12E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2888
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK11A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5009
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：典型关断延迟时间 85 ns,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2410
  
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