产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
STW20NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-3114
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP460PBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP460PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9654
查看其他仓库
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460LCPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP460LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0193
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP460APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9800
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
STP20NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9667
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK32N80Q3, 32 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK32N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1418
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
STP20NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
809-1584
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
SIHG20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1266
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PLG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
SPD15P10PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5347
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N60P, 26 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH26N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-451
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Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7504TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7504TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-748
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD120PBF, 1.3 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRLD120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0484
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD16N25CTM, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FQD16N25CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0964
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FQP17N40
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5036
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4812
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL640STRL-GE3, 17 A, Vds=200 V, 3引脚 SMD-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
SIHL640STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0705
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI520GPBF, 7.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI520GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2711
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS315P, 1.18 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
BSS315P
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5497
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
STW20NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6698
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
STF20NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0455
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FDC6306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-9834
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
SIGH20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
785-8641
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX32N80Q3, 32 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
IXFX32N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1496
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
STB21NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1060
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