品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon IRG4BC40SPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, <1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4BC40SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3247
搜索
Infineon F12-25R12KT4G N通道 IGBT 模块, 六角桥接, 25 A, Vce=1200 V, 38引脚 ECONO3封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
F12-25R12KT4G
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6826
查看其他仓库
Infineon IRG4BC40W-LPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4BC40W-LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0915
查看其他仓库
Infineon IRG4PC40UD-EPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PC40UD-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0943
搜索
Infineon IRG4PH40UDPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PH40UDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0959
搜索
Infineon FP50R12KT4G_B15 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FP50R12KT4G_B15
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6914
查看其他仓库
Infineon IRG4PH40UD-EPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PH40UD-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0940
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1506
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710ZSPBF, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF3710ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6853
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3710Z, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
AUIRF3710Z
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7664
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF3710ZS, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
AUIRF3710ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7677
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
SPB16N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3150
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFSL7540PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5132
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
SPW16N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3217
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFB7540PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8849
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7540TRLPBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFS7540TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8886
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150MPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFP150MPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4000
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7185TRPBF, 123 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFH7185TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4186
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFP150NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4873
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4905
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Infineon FP50R12KT4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 23引脚 ECONO2封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FP50R12KT4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6854
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Infineon IRGP4086PBF N沟道 IGBT, 70 A, Vce=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRGP4086PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3275
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Infineon IRG4BC40W-SPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4BC40W-SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0918
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Infineon IRG4PH40UD2-EP N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PH40UD2-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4909
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFP150NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0856
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