品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor FGD4536TM N沟道 IGBT, 220 A, Vce=360 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FGD4536TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0779
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FCP11N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4730
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS86101DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9203
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4923
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS86500DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-5011
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0337
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60F, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FCP11N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4749
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS7650DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5911
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS86101DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4857
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14AN06LA0_F085, 67 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDB14AN06LA0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7972
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200DC, 40 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS86200DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8449
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS7650DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4939
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300DC, 76 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS86300DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9206
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM_F085, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FQB22P10TM_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-8994
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD14AN06LA0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDD14AN06LA0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8048
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320LDC, 192 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS8320LDC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8405
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