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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：典型关断延迟时间 13 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD16323Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4707
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16327Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：典型关断延迟时间 13 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD16327Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4729
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17578Q3AT, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：典型关断延迟时间 13 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD17578Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3846
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17506Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：典型关断延迟时间 13 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD17506Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  742-2842
  
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• Texas Instruments 双 P沟道 Si MOSFET TPS1120D, 1.17 A, Vds=15 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：典型关断延迟时间 13 ns,
• 制造商零件编号：
  TPS1120D
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  662-4277
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18533KCS, 118 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：典型关断延迟时间 13 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD18533KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4899
  
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