品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPD50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5334
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPA60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8609
搜索
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPP50R500CE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2270
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPD60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7545
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R520CP, 7.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPP50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6912
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R520E6, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R520E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6928
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