品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor FGB20N60SF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FGB20N60SF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9251
搜索
Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD_F085 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FGB20N60SFD_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8792
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Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FGB20N60SFD
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8798
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4746
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60FTM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCB20N60FTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6119
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP090N10, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FDP090N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9670
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9102
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1152
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5065
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4838
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCB20N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0330
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60_GF102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7900
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N65F, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N65F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7903
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCMT199N60, 20 A, Vds=600 V, 4引脚 电源 88封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCMT199N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7880
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA20N60F, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCA20N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1230
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Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
HGTG30N60B3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6664
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCH190N65F_F155, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCH190N65F_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1293
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