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安装类型	表面贴装
长度	1.11mm
尺寸	1.11 x 1.11 x 0.1mm
典型关断延迟时间	2.6 μs
典型接通延迟时间	0.6 μs
典型输入电容值@Vds	850 pF
典型栅极电荷@Vgs	7.1 nC @ 4 V
封装类型	ULGA
高度	0.1mm
宽度	1.11mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	4
最大功率耗散	350 mW
最大栅阈值电压	1.4V
最大栅源电压	±12 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Panasonic 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Panasonic MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.11mm  Panasonic 长度 1.11mm  MOSFET 晶体管 长度 1.11mm  Panasonic MOSFET 晶体管 长度 1.11mm   尺寸 1.11 x 1.11 x 0.1mm  Panasonic 尺寸 1.11 x 1.11 x 0.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.11 x 1.11 x 0.1mm  Panasonic MOSFET 晶体管 尺寸 1.11 x 1.11 x 0.1mm   典型关断延迟时间 2.6 μs  Panasonic 典型关断延迟时间 2.6 μs  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 2.6 μs  Panasonic MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 2.6 μs   典型接通延迟时间 0.6 μs  Panasonic 典型接通延迟时间 0.6 μs  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 0.6 μs  Panasonic MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 0.6 μs   典型输入电容值@Vds 850 pF  Panasonic 典型输入电容值@Vds 850 pF  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 850 pF  Panasonic MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 850 pF   典型栅极电荷@Vgs 7.1 nC @ 4 V  Panasonic 典型栅极电荷@Vgs 7.1 nC @ 4 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.1 nC @ 4 V  Panasonic MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.1 nC @ 4 V   封装类型 ULGA  Panasonic 封装类型 ULGA  MOSFET 晶体管 封装类型 ULGA  Panasonic MOSFET 晶体管 封装类型 ULGA   高度 0.1mm  Panasonic 高度 0.1mm  MOSFET 晶体管 高度 0.1mm  Panasonic MOSFET 晶体管 高度 0.1mm   宽度 1.11mm  Panasonic 宽度 1.11mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.11mm  Panasonic MOSFET 晶体管 宽度 1.11mm   类别 小信号  Panasonic 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Panasonic MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 2  Panasonic 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Panasonic MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Panasonic 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Panasonic MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 消耗  Panasonic 通道模式 消耗  MOSFET 晶体管 通道模式 消耗  Panasonic MOSFET 晶体管 通道模式 消耗   引脚数目 4  Panasonic 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Panasonic MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 350 mW  Panasonic 最大功率耗散 350 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 350 mW  Panasonic MOSFET 晶体管 最大功率耗散 350 mW   最大栅阈值电压 1.4V  Panasonic 最大栅阈值电压 1.4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V   最大栅源电压 ±12 V  Panasonic 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最高工作温度 +150 °C  Panasonic 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Panasonic MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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