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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF840LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-495
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06FP, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2278
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0159
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670AS, 13.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6670AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0586
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP42AN15A0, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP42AN15A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4840
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8462, 64 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC8462
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9134
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB1P50TM, 1.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB1P50TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9333
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS86322
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9642
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR120Z, 8.7 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR120Z
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4309
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTGS3441T1G, 1.65 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  NTGS3441T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6280
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN015-60PS, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN015-60PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2842
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5852NLT1G, 44 A, Vds=40 V, 8引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  NVMFD5852NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4166
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6811
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7031
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS86101A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8439
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF320N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDPF320N06L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8600
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50UT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8619
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1514URH, 66 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  MDU1514URH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5019
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5010TRPBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH5010TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5195
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5025
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STS6NF20V, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  STS6NF20V
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8386
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0068
  
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