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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  ZVN2106GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  274-992
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF5802TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-647
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7101PBF, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7101PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0238
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0418
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7301PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0698
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7307PBF, 4.7 A，5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7307PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0705
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7342PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1764
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7342D2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  543-1954
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7422D2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2452
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  FDS6892A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0637
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT7N10LTF, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  FQT7N10LTF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1062
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7905PBF, 7.8 A，8.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7905PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3172
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7907PBF, 9.1 A，11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7907PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5520
  
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• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2313CX RFG, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  TSM2313CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6068
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4525GTA, 310 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  ZVN4525GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5269
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDFS6N754, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  FDFS6N754
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9125
  
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• Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7304Q, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7304Q
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4264
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4858NT4G, 73 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  NTD4858NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0532
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMD4820NR2G, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  NTMD4820NR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0677
  
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• Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7324PBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7324PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0280
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS4111PT1G, 4.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  NTGS4111PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5252
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTGS3441T1G, 1.65 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  NTGS3441T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6280
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTGS3446T1G, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  NTGS3446T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-4221
  
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• ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET NTMD6N02R2G, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2 W,
• 制造商零件编号：
  NTMD6N02R2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-4525
  
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