产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
IRFD020
品牌:
Vishay
库存编号:
435-9429
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD210PBF, 600 mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
IRFD210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0531
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
SI2309CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3250
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS192,115, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
BSS192,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8313
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
BSS87
品牌:
Nexperia
库存编号:
752-8249
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MCH3377-TL-E, 3 A, Vds=20 V, 3引脚 MCPH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
MCH3377-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0819
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
NTJS3157NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0624
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 EMH2801-TL-H, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
EMH2801-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9456
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH3457-TL-H, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 CPH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
CPH3457-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5259
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET CPH3456-TL-H, 3.5 A, Vds=20 V, 3引脚 CPH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
CPH3456-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9998
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH3374-TL-E, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 MCHP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
MCH3374-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0917
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFD310PBF, 350 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
IRFD310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2708
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
SI6968BEDQ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1374
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DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMG1029SV-7, 280 mA,620 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
DMG1029SV-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2523
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ROHM Si P沟道 MOSFET RRR030P03TL, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
RRR030P03TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7743
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ROHM N沟道 Si MOSFET RUR040N02TL, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
RUR040N02TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7813
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ROHM Si P沟道 MOSFET RZR025P01TL, 2.5 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
RZR025P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7835
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ROHM Si P沟道 MOSFET RZR040P01TL, 4 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
RZR040P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7838
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2047UCB4-7, 4.1 A, Vds=20 V, 4引脚 U-WLB1010封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
DMP2047UCB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3219
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Microchip Si N沟道 MOSFET VN2410L-G, 190 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
VN2410L-G
品牌:
Microchip
库存编号:
861-0670
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Microchip N沟道 Si MOSFET VN2222LL-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
VN2222LL-G
品牌:
Microchip
库存编号:
879-3274
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH3455-TL-W, 3 A, Vds=35 V, 3引脚 CPH3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
CPH3455-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
920-9770
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET SCH1330-TL-W, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
SCH1330-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9584
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSS606N H6327, 3.2 A, Vds=60 V, 4引脚 PG-SOT-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
BSS606N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7170
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1 W,
制造商零件编号:
SI1417EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3229
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