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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGB10NC60HDT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-7041
搜索
STMicroelectronics STGW35NB60SD N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGW35NB60SD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-7114
搜索
STMicroelectronics STGF19NC60HD N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGF19NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-7206
搜索
STMicroelectronics STGF14NC60KD N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGF14NC60KD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9072
搜索
ON Semiconductor NGTG30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
NGTG30N60FLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1371
搜索
ON Semiconductor NGTG30N60FWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
NGTG30N60FWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1375
搜索
Toshiba GT50JR21 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT50JR21
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5061
搜索
Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT50J342,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4873
搜索
Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
GT60PR21,STA1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4889
搜索
IXYS IXDN55N120D1 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXDN55N120D1
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7616
搜索
IXYS IXYN100N120C3H1 N沟道 IGBT, 134 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYN100N120C3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7619
搜索
IXYS IXYN82N120C3H1 N沟道 IGBT, 105 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYN82N120C3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7622
搜索
Littelfuse NGB8207ABNT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=365 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
NGB8207ABNT4G
品牌:
Littelfuse
库存编号:
805-1753
搜索
Fairchild Semiconductor FGAF40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
FGAF40N60SMD
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0763
搜索
Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
HGT1S10N120BNST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6660
搜索
Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
HGTG30N60B3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6664
搜索
IXYS IXYX120N120C3 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYX120N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0234
搜索
IXYS IXA12IF1200HB N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXA12IF1200HB
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0256
搜索
IXYS IXYH50N120C3D1 N沟道 IGBT, 90 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYH50N120C3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0281
搜索
IXYS IXYH40N120C3D1 N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXYH40N120C3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0284
搜索
IXYS IXA4IF1200TC N沟道 IGBT, 9 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268AA封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IXA4IF1200TC
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0307
搜索
STMicroelectronics STGIPL14K60 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 38引脚 SDIP封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGIPL14K60
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3472
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STMicroelectronics STGE50NC60VD N沟道 IGBT, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 4引脚 ISOTOP封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGE50NC60VD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3475
搜索
STMicroelectronics STGB18N40LZT4 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
STGB18N40LZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3485
搜索
Infineon IGW40N120H3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,
制造商零件编号:
IGW40N120H3
品牌:
Infineon
库存编号:
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