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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7204PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9632
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1613
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4822
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF10NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2732
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STI45N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STI45N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5870
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4993
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3890, 4.7 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS3890
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3630
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86110, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD86110
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0947
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFZ24PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0672
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4431CDY-T1-GE3, 7.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4431CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3215
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR020TRPBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR020TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2764
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ110N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5724
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7204TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8831
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NTRPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR120NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4038
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC110N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5303
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK12E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6113
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK12P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6126
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4584
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU13N20DPBF, 13 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU13N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5847
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35A08N1,S4X(S, 35 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK35A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2350
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9868
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4823
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF5803PBF, 3.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF5803PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3735
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4620PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6960
  
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• Infineon 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7379Q, 4.3 A, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7379Q
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4280
  
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