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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9604
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFD9014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0733
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N100TM, 1.6 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQD2N100TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0999
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD4NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5153
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPB17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8482
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP4NK50ZD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0134
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTD5P06VT4G, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  MTD5P06VT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6236
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN014-40YS, 46 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN014-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2839
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC653N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0868
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD7N25LZTM, 6.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD7N25LZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0931
  
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• ROHM Si P沟道 MOSFET RRQ030P03TR, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  RRQ030P03TR
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7740
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA86551L, 7.5 A, Vds=60 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA86551L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8174
  
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• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP8N65X2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXTP8N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1479
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7103PBF, 3 A, Vds=50 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4845
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFL9014TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5643
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z14PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9478
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQD8P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1043
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4464DY-T1-GE3, 1.7 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4464DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3333
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3130L-7, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMP3130L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4275
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRLHS2242TR2PBF, 15 A, Vds=20 V, 6引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRLHS2242TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4422
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10N20LZTM, 7.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD10N20LZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9124
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP8P10, 5.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP8P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5879
  
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• ROHM Si N沟道 MOSFET ZDS020N60TB, 630 mA, Vds=600 V, 8引脚 SC-87封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  ZDS020N60TB
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7832
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPU80R2K8CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7104
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FQPF2N80YDTU, 1.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF2N80YDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8760
  
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