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• NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  PMF170XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8120
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR4105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9828
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5159
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N50ZG, 7.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  NDF08N50ZG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2828
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLH5034TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  725-9331
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7672, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6291
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N52K3, 5 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  STP6N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0165
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A，27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4105
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9146
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR8403
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0982
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3099L-7, 2.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  DMP3099L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0503
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD2572_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8063
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5362L_F085, 22 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS5362L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8385
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI086N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI086N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2166
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C430NLT1G, 200 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C430NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  920-9903
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LK3-13, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN3010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1076
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB067N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7099
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9743
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8854, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC8854
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0393
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6646TR1PBF, 12 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF6646TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6712
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2905Z, 59 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR2905Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7473
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5N50NZFTM, 3.7 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD5N50NZFTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6175
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1875
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD2572, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD2572
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9059
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7341Q
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4274
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD6NK50ZT4, 5.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 31 ns,
• 制造商零件编号：
  STD6NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9597
  
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